93512572C339-T1A datasheet
买卖IC网搜索
IC现货
IC急购
供应
首页
IC现货
IC急购
供应
资讯
展会
生意社区
我的买卖
买卖IC网
>>
产品目录
>> 93512572C339-T1A 硅电容器 EXSC XtremTmpWireBnd CAP 0202 90pF BV=30V datasheet 半导体模块
型号:
93512572C339-T1A
库存数量:
可订货
制造商:
IPDiA
描述:
硅电容器 EXSC XtremTmpWireBnd CAP 0202 90pF BV=30V
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
半导体模块 >> 硅电容器
描述
硅电容器 EXSC XtremTmpWireBnd CAP 0202 90pF BV=30V
93512572C339-T1A PDF下载
制造商
IPDiA
电容
390 pF
容差
15 %
电压额定值
温度系数
0.5 %
工作温度范围
- 55 C to + 250 C
封装 / 箱体
0202
外壳高度
0.15 mm
系列
935125
类型
Embeded and Wirebound Extreme Temperature Silicon Capacitor
相关资料
属性
链接
代理商
93512572C339-T1A
935-4
935480320616-T2S
935480320626-T2S
9-3557-GPREVA
935C1W10K-F
供应商
公司名
电话
深圳市毅创辉电子科技有限公司
19129911934(手机优先微信同号)
史仙雁
深圳市一线半导体有限公司
0755-83789203
谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
深圳市宝芯创电子有限公司
0755-83228629
陈先生
深圳市芯品会科技有限公司
0755-83265528
朱先生
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
13168731828
朱先生
93512572C339-T1A 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
93512572C339-T1A 相关型号
93512472C347-T1A
硅电容器 ETSC HiTmpWireBndCap 0202 470pF BV=30V
93512472C339-T1A
硅电容器 ETSC HiTmpWireBndCap 0202 390pF BV=30V
93512172G610-T1A
硅电容器 EMSC Embed’SilicnCap 0605 100nF BV=30V
93512172F533-T1A
硅电容器 EMSC Embed’SilicnCap 0404 33nF BV=30V
935131425610-T1N
硅电容器 HiStabiltySiliconCap 100nF 0603 BV11 NiAu
MA4M3050
硅电容器 50pF Max Stdoff V200 -55C +200C
935132424310-T3N
硅电容器 HighTempSiliconCap 100pF 0402 BV11 NiAu
935132429733-T3N
硅电容器 HighTempSiliconCap 3.3uF 1812 BV11 NiAu
935132424347-T3N
硅电容器 HighTempSiliconCap 470pF 0402 BV11 NiAu
935133724547-T3N
硅电容器 XremeTemp SiliconCap 47nF 0402 BV30 NiAu